ISL6625ACRZ-T نیمه پل دروازه راننده IC غیر معکوس 8-DFN (2x2)
ISL6625ACRZ-T نیمه پل دروازه راننده IC غیر معکوس 8-DFN (2x2)
| Renesas Electronics | |
| دسته بندی محصول: | رانندگان دروازه |
| RoHS: | جزئیات |
| رانندگان دروازه MOSFET | |
| طرف بالا، طرف پایین | |
| SMD/SMT | |
| 2 راننده | |
| 2 تولید | |
| 20 mA | |
| 5.5 ولت | |
| 13.2 ولت | |
| ۳۱ سال | |
| 18 ns | |
| 0 C | |
| + 70 C | |
| ISL6625A | |
| ريل | |
| نوار برش | |
| برند: | رنزاس / اینترسیل |
| ارتفاع: | 0.9 میلی متر |
| طول: | 2 میلی متر |
| حساس به رطوبت: | آره |
| نوع محصول: | رانندگان دروازه |
| زیر دسته بندی: | PMIC - ICهای مدیریت برق |
| تکنولوژی: | آره |
| عرض: | 2 میلی متر |
| وزن واحد: | 0.000388 اونس |
ISL6625A یک درایور MOSFET با فرکانس بالا است که برای هدایت کانال N با قدرت بالا و پایین طراحی شده است.
MOSFET ها در توپولوژی کنورتر buck اصلاح شده بی هم زمان. در ISL6625A، دروازه های بالا و پایین
هر دو به ولتاژ اعمال شده از خارج رانده می شوند.این قابلیت بهینه سازی کاربردهایی را که شامل
یک حفاظت پیشرفته تطبیقی از شلیک از طریق
یکپارچه شده برای جلوگیری از هر دو MOSFET بالا و پایین از انجام همزمان و به حداقل رساندن
ISL6625A دارای 10kΩ مقاومت دروازه به منبع در سمت بالا برای جلوگیری از خود را به دلیل روشن شدن
این درایور همچنین دارای یک ویژگی حفاظت از ولتاژ بالا است که در حالی که VCC کار می کند
PHASEnode به دروازه پایین طرف MOSFET (LGATE) از طریق متصل می شود
مقاومت 30kΩ، که ولتاژ خروجی کنورتر را به آستانه دروازه MOSFET پایین محدود می کند.
این بستگی به این دارد که جریان در حال تغییر است، که در صورت افزایش فشار بالا، حفاظت از بار را فراهم می کند.
MOSFET ها کوتاه می شوند.
درخواست ها
• تنظیم کننده های ولتاژ با کارایی بالای بار نور
• تنظیم کننده های هسته ای برای میکروپروسسرهای پیشرفته
• مبدل های جریان مستقیم و مستقیم
ویژگی ها
• دو محرک MOSFET برای پل هم زمان اصلاح شده
• حفاظت پیشرفته از شلیک صفر تطبیقی- تشخیص PHASE- تشخیص LGATE- صفر خودکار اثر تغییر هدایت rDS ((ON)
• جریان کم حالت آماده
• سوئیچر بوت استراپ داخلی 36 ولت
• جلوگیری از شارژ بیش از حد خازن بوت استراپ
• مقاومت دروازه به منبع در سمت بالا برای جلوگیری از خود به دلیل اتوبوس ورودی بالا dV/dt
• حفاظت از ولتاژ بیش از حد قبل از POR برای راه اندازی و خاموش کردن
• محافظت از ولتاژ پایین ریل های برق
• پد مسی پایین قابل گسترش برای جذب بهتر گرما
• بسته ی بدون سرب دوگانه (DFN) - تقریباً اثر بسته در مقیاس تراشه؛ بهبود بهره وری PCB و پتلی تر در پروفایل• بدون Pb (جامع RoHS)
